各有关单位：

　　《坪山区关于促进集成电路第三代半导体产业发展的若干措施》已经区政府同意，现印发给你们，请结合实际贯彻落实。

深圳市坪山区人民政府

2018年10月22日

　　（联系人：李诗雯；联系电话：0755-89364853）

坪山区关于促进集成电路第三代半导体产业发展的若干措施

第一章　总则

　　第一条【宗旨】

　　为落实国家、省、市关于集成电路产业发展的战略部署，进一步优化坪山区集成电路上下游产业布局，谋划第三代半导体产业发展，切实抢占新一轮集成电路、第三代半导体产业发展的制高点，现根据《国家集成电路产业发展推进纲要》《深圳市关于进一步加快软件产业和集成电路设计产业发展的若干措施》（深府〔2013〕99号）、《深圳市人民政府关于进一步降低实体经济企业成本的若干措施》（深府规〔2017〕10号）等有关规定，在《深圳市坪山区关于支持实体经济发展的若干措施》《深圳市坪山区关于加快科技创新发展的若干措施（2017-2020年）》基础上，特针对集成电路、第三代半导体产业制定如下措施。

　　第二条【适用对象】

　　本措施适用于注册地在坪山区，且主营业务为集成电路、第三代半导体产业的企业或为其服务的企业、机构或组织（以下合称“企业”）。

第二章　产业资金支持

　　第三条【资金支持】

　　利用坪山区现有产业发展、科技创新等专项资金，支持集成电路产业发展。

　　第四条【产业基金】

　　发挥政府资金引导作用，鼓励和吸引机构投资者、产业资本与国家集成电路产业投资基金、深圳市产业引导基金、坪山区政府投资引导基金合作设立集成电路产业基金，对集成电路项目进行股权投资，为集成电路产业发展提供投融资支持。

　　第五条【信贷融资】

　　支持企业通过抵押担保、知识产权质押、股权质押、第三方担保、信用保险及贸易融资等多种方式，取得银行的信贷融资。对企业从金融机构获得的1年期以上的贷款，按贷款实际发放之日人民银行的同期基准利率，给予50%的贴息支持，同一笔融资项目的贴息支持不超过3年，每家企业年度贴息支持最高200万元。

　　对企业通过第三方融资担保机构获得的１年期以上的信贷融资，按企业支付给担保机构的融资担保费额（担保费率不得高于2%），给予50%的资助，同一笔担保项目连续支持不超过3年，每家企业年度资助最高200万元。

第三章　有效保障产业空间

　　第六条【用地保障】

　　规划建设集成电路（第三代半导体）产业园区，保障企业用地。

　　第七条【用房支持】

　　对符合《深圳市坪山区创新型产业用房管理实施细则》资助条件的集成电路企业，租金资助标准中产业类别的权重系数为50%（即A为50%），资助额度为同片区、同档次产业用房市场评估价格的50%-90%。连续资助3年，每家企业年度资助最高500万元，且不超过企业上年度在坪山区纳税总额。

第四章　大力引进优质企业

　　第八条【设计、设备和材料类企业落户奖励】

　　对新设立或新迁入的设计、设备和材料类集成电路企业，设立或迁入后第一年或第一个会计年度内实缴资本超过2000万元的，对于新设立的企业，按照设立后第一年或第一个会计年度实缴资本的10%，给予每家企业最高500万元的资助；对于新迁入的企业，按照迁入后第一年或第一个会计年度追加实缴资本的10%，给予每家企业最高500万元的资助。

　　第九条【制造、封测类企业落户奖励】

　　对新设立或新迁入的制造、封测类集成电路企业，第一年或第一个会计年度实际完成工业投资5000万元以上（含）的，按照企业当年实际完成工业投资额的10%，给予每家企业最高1000万元的资助。

第五章　支持产业研发

　　第十条【支持核心技术和产品攻关】

　　支持企业开展集成电路高端通用器件（CPU、GPU、存储器等）、第三代半导体器件（功率半导体器件等）、关键设备（光刻机、刻蚀机、离子注入机、气相沉积设备等）、核心材料（第三代半导体材料、靶材、光刻胶、感光胶等）、先进工艺（堆叠式封装等）等技术研发和产品攻关，按研发投入的10%，给予每家企业年度最高500万元的资助。

　　第十一条【支持联合项目研发】

　　支持本辖区上下游企业合作开展研发，项目完成、实现量产且年产值或年营业收入达1000万元以上的，按企业联合投入金额10%，给予最高600万元的资助。上述资助由企业联合申报。

　　第十二条【支持军工合作和境外研发中心建设】

　　（一）支持企业与军工单位开展研发合作。企业承担军工科研项目，获得市相关政策资助的，按照市级实际资助额度1:1比例，给予最高500万元的配套资助。

　　（二）支持企业通过新设或并购方式，在境外设立研发中心，吸收当地研发人才和研发资源，按市级实际资助额度1:1比例，给予最高500万元的配套资助。

第六章　支持产业链协同发展

　　第十三条【支持公共服务平台】

　　支持企业在坪山建设集成电路产业公共服务平台，通过专业化的运营管理与服务，为企业提供集成电路设计、电子设计自动化（EDA）工具、IP共享、多项目晶圆（ＭＰＷ）以及集成电路产品、设备、材料等的分析、测试、验证、认证等公共技术支撑和服务，加快坪山集成电路企业做大做强。对企业建设的公共服务平台，经区政府认定的，按EDA、IP、测试验证设备等购置费用的50%，一次性给予最高2000万元的资助。对获得市级相关资助的，按市级实际资助额度1；1比例给予配套资助。以上两项资助政策不重复享受。

　　第十四条【支持EDA软件购买和使用】

　　对企业购买EDA设计工具软件（含软件升级费用）、采购辖区公共服务平台的集成电路设计服务或利用公共服务平台使用EDA设计工具软件的，按照实际发生费用的50%，给予每家企业年度最高分别为200万元、100万元、50万元的资助。

　　第十五条【支持IP购买和复用】

　　对企业购买IP（来源于IP提供商、EDA供应商或者代工厂IP模块）开展高端芯片研发，给予IP购买实际支付费用50%的资助，每家企业年度资助最高300万元。对企业使用第三方集成电路设计公共服务平台提供的IP复用服务的，按照实际发生费用的50%，给予每家企业年度最高200万元的资助。

　　第十六条【支持测试验证】

　　对企业开展工程片、设备、材料的可靠性、兼容性测试验证、失效分析以及认证等，按实际发生费用的50%，给予每家企业年度最高200万元的资助。

　　第十七条【支持流片】

　　（一）对集成电路设计企业参加MPW项目，按MPW直接费用的80%（高校或科研院所参加MPW项目的，按MPW直接费用的90%），给予每家企业年度最高200万元的资助。利用本辖区企业开展MPW的，按上述比例，给予每家企业年度最高400万元的资助。

　　（二）对集成电路设计企业首次工程流片进行资助，按首次工程流片费用（含IP授权或购置、掩模版制作、流片等）的30%，给予每家企业年度最高300万元的资助。利用本辖区企业集成电路生产线流片的，按首次流片费用的60%，给予每家企业年度最高600万元的资助。

　　第十八条【支持首购首用】

　　（一）支持本辖区整机和集成电路设计企业联动发展。对坪山区整机企业首购首用本辖区集成电路设计企业自主开发的芯片，按照采购金额的10%，给予最高50万元的资助。上述资助由整机企业与设计企业联合申报。

　　（二）支持企业首购首用本辖区集成电路企业自主研发生产的设备、材料，按照采购金额的10%，给予最高100万元的资助。

　　（三）对企业获得国家首台（套）重大技术装备保险补偿资助的，按照国家实际资助额度的50%给予配套资助。

第七章　其他扶持

　　第十九条【生产性用电支持】

　　对集成电路生产企业用电成本，按照“先交后补”的方式，给予用电费用50%的资助，每家企业年度资助最高500万元。

　　支持企业建设双回路、储能电站等用电设施，建成投入使用后，按照企业实际投入费用的30%，一次性给予最高500万元的资助。

　　第二十条【环保设施支持】

　　对企业建设的废气、废水、固体废弃物等环境保护处理设施或工程，按照相应设施或工程费用的50%，给予每家企业年度最高500万元的资助。

　　对企业支付的日常环保处理费用，按照实际支出费用的50%，给予每家企业年度最高100万元的资助。

第八章　附则

　　第二十一条【不重复资助】

　　本措施与坪山区其他同类优惠政策由企业按照就高不就低的原则选择适用，不重复资助。执行期间如遇国家、省、市、区有关政策调整的，按新政策执行。

　　第二十二条【资助总额上限】

　　本措施规定的“最高”“不超过”，均包含本数。所有项目的国家、省、市、区资助总额不超过项目实际投资总额。

　　第二十三条【专有名词解释】

　　本措施中的“IP”指的是具有知识产权的、已经设计好并经过验证的、可重复利用的集成电路模块。

　　第二十四条【一事一议】

　　对集成电路领域的重点企业和重大投资项目，由坪山区人民政府按“一事一议”的方式进行审议。“一事一议”的内容包括重点企业和重大项目落户奖励、用地用房保障、研发与核心技术攻关、人才引进等方面重要事项。

　　第二十五条【解释权】

　　本措施由区经济和科技促进局、科技创新服务署解释。

　　第二十六条【有效期】

　　本措施自2018年11月22日起施行，有效期3年，有效期内已提交申请且符合资助标准的，本措施失效后分期支付未结项目的资助款按本措施标准拨付。

　　附：适用对象主营业务目录

适用对象主营业务目录

　　1．集成电路芯片设计及服务，芯片设计平台（EDA工具）及配套IP库。

　　2．集成电路芯片制造，线宽100纳米及以下大规模数字集成电路制造，0.5微米及以下模拟、数模集成电路制造。

　　3．集成电路芯片封装测试，系统级封装（SIP）、多芯片组件封装（MCM）、芯片级封装（CSP）、圆片级封装（WLP）、球栅阵列封装（BGA）、插针网格阵列封装（PGA）、覆晶封装（FlipChip）、硅通孔（TSV）、扇出晶圆级封装（Fan-Out）、三维封装（3D）等先进封装和测试技术的开发及产业化。

　　4．集成电路材料。主要包括6英寸／8英寸／12英寸集成电路硅片、绝缘体上硅（SOI）、化合物半导体材料（含SIC、GAN等第三代半导体材料），光刻胶、靶材、抛光液、研磨液、封装材料等。

　　5．集成电路设备。主要包括6英寸／8英寸／12英寸集成电路生产线所用的光刻机、刻蚀机、离子注入机、退火设备、单晶生长设备、薄膜生长设备、化学机械抛光设备、封装设备、测试设备等。

　　6．集成电路芯片产品。主要包括中央处理器（CPU）、微控制器（MCU）、存储器、先进模组、数字信号处理器（DSP）、嵌入式CPU、通信芯片、数字电视芯片、存储模组、多媒体芯片、信息安全和视频监控芯片、智能卡芯片、汽车电子芯片、工业控制芯片、智能电网芯片、MEMS传感器芯片、电源管理芯片，CMOS图像传感器芯片，人机交互处理芯片，功率半导体芯片、功率控制电路及半导体电力电子器件、光电混合集成电路等。